5月23日，業(yè)內(nèi)首款存算一體大算力AI元器件在南京后摩智能公司成功點(diǎn)亮，并成功跑通智能駕駛算法模型。該器件基于架構(gòu)創(chuàng)新，采用SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為存算一體介質(zhì)，通過(guò)存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元的深度融合，實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗，樣片算力達(dá)20TOPS，可擴(kuò)展至200TOPS，計(jì)算單元能效比高達(dá)20TOPS/W。與傳統(tǒng)架構(gòu)下的大算力器件相比，它在算力、能效比等方面都具有顯著的優(yōu)勢(shì)。
在智能駕駛等計(jì)算場(chǎng)景中，除了對(duì)算力需求高外，對(duì)器件的功耗和散熱也有很高的要求。目前，常規(guī)架構(gòu)器件設(shè)計(jì)中，內(nèi)存系統(tǒng)的性能提升速度大幅落后于處理器的性能提升速度，有限的內(nèi)存帶寬無(wú)法保證數(shù)據(jù)高速傳輸，無(wú)法滿足高級(jí)別智能駕駛的計(jì)算需求。其次，數(shù)據(jù)來(lái)回傳輸又會(huì)產(chǎn)生巨大的功耗。
為此，后摩智能通過(guò)走差異化創(chuàng)新之路，在國(guó)內(nèi)率先通過(guò)底層架構(gòu)創(chuàng)新，進(jìn)行大算力AI器件設(shè)計(jì)。研發(fā)人員根據(jù)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器件重新設(shè)計(jì)電路、單元陣列、工具鏈等，同時(shí)突破了多項(xiàng)物理和結(jié)構(gòu)上的技術(shù)難題。
據(jù)悉，該款器件采用22納米成熟工藝制程，在提升能效比的同時(shí)，還能有效把控制造成本。同時(shí)，首次在存內(nèi)計(jì)算架構(gòu)上跑通了智能駕駛場(chǎng)景下多場(chǎng)景、多任務(wù)算法模型，為高級(jí)別智能駕駛提供了一條全新的技術(shù)路徑。未來(lái)有可能用W級(jí)別的功耗提供P級(jí)別的計(jì)算能力，更好地滿足高級(jí)別智能駕駛時(shí)代的需求。此外，在靈活性方面，它不但支持市面上的主流算法，還可以支持不同客戶定制，更加適配于算法的高速迭代。
關(guān)鍵詞： 高性能低功耗 智能駕駛存算一體器件研發(fā)成功 內(nèi)存帶寬 大算力AI器件設(shè)計(jì)
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